Toshiba Semiconductor and Storage - TK3A60DA(Q,M)

KEY Part #: K6397655

TK3A60DA(Q,M) ფასები (აშშ დოლარი) [77289ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.50590

Ნაწილი ნომერი:
TK3A60DA(Q,M)
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M) electronic components. TK3A60DA(Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK3A60DA(Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK3A60DA(Q,M) პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK3A60DA(Q,M)
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
სერიები : π-MOSVII
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 380pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 30W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220SIS
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.