Infineon Technologies - SPW47N65C3FKSA1

KEY Part #: K6410109

SPW47N65C3FKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [7361ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.59867
  • 240 pcs$5.08434

Ნაწილი ნომერი:
SPW47N65C3FKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies SPW47N65C3FKSA1 electronic components. SPW47N65C3FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPW47N65C3FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPW47N65C3FKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SPW47N65C3FKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
სერიები : CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 415W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO247-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN2222LL-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • ZVN4206AV

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • FCD4N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

  • 2SK2231(TE16R1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

  • IXTY1R4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.