Ნაწილი ნომერი :
IXTY1R4N60P
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 25µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
140pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
50W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63