Ნაწილი ნომერი :
IPD35N10S3L26ATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 39µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
39nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2700pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
71W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO252-3-11
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63