ON Semiconductor - HUF76407D3ST

KEY Part #: K6403179

HUF76407D3ST ფასები (აშშ დოლარი) [273733ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13580
  • 2,500 pcs$0.13512

Ნაწილი ნომერი:
HUF76407D3ST
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor HUF76407D3ST electronic components. HUF76407D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF76407D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUF76407D3ST პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : HUF76407D3ST
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
სერიები : UltraFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 92 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 350pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 38W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252AA
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ