Ნაწილი ნომერი :
TPCC8066-H,LQ(S
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
15nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1100pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
700mW (Ta), 17W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN