Vishay Siliconix - SI4435FDY-T1-GE3

KEY Part #: K6409686

SI4435FDY-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [610452ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06059

Ნაწილი ნომერი:
SI4435FDY-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, დიოდები - RF and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4435FDY-T1-GE3 electronic components. SI4435FDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4435FDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4435FDY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4435FDY-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
სერიები : TrenchFET® Gen III
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1500pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 4.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOIC
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD86102

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 8A DPAK.

  • FDD6530A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK.

  • FQD30N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3.

  • FQD7P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD8647L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 14A DPAK.

  • FDD5353

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.