Ნაწილი ნომერი :
TK58E06N1,S1X
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N CH 60V 58A TO-220
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
58A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
46nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3400pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
110W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3