Ნაწილი ნომერი :
IPB65R190C7ATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH TO263-3
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 290µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
23nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1150pF @ 400V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
72W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D²PAK (TO-263AB)
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB