Panasonic Electronic Components - EXB-24AT6AR5X

KEY Part #: K7359535

EXB-24AT6AR5X ფასები (აშშ დოლარი) [1824451ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02480
  • 10,000 pcs$0.02468
  • 30,000 pcs$0.02314
  • 50,000 pcs$0.02051
  • 100,000 pcs$0.02005

Ნაწილი ნომერი:
EXB-24AT6AR5X
მწარმოებელი:
Panasonic Electronic Components
Დეტალური აღწერა:
RF ATTENUATOR 6DB 50OHM 0404.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: RFI და EMI - დამცავი და შთამნთქმელი მასალები, RF მიქსერები, RF გადამცემი ICs, RF გამაძლიერებლები, RF გადამცემები, RF დიპლექსორები, RF ანტენა and RF Front End (LNA + PA) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Panasonic Electronic Components EXB-24AT6AR5X electronic components. EXB-24AT6AR5X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EXB-24AT6AR5X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EXB-24AT6AR5X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EXB-24AT6AR5X
მწარმოებელი : Panasonic Electronic Components
აღწერა : RF ATTENUATOR 6DB 50OHM 0404
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დამბრუნების ღირებულება : 6dB
სიხშირის დიაპაზონი : 0Hz ~ 3GHz
სიმძლავრე (ვატი) : 40mW
წინაღობა : 50 Ohms
პაკეტი / საქმე : 0404 (1010 Metric), Concave

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.