Ნაწილი ნომერი :
IPN80R900P7ATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 110µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
15nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
350pF @ 500V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-SOT223
პაკეტი / საქმე :
TO-261-3