Infineon Technologies - IPC020N10L3X1SA1

KEY Part #: K6421098

IPC020N10L3X1SA1 ფასები (აშშ დოლარი) [348103ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.30454

Ნაწილი ნომერი:
IPC020N10L3X1SA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1 electronic components. IPC020N10L3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC020N10L3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC020N10L3X1SA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPC020N10L3X1SA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1A (Tj)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 12µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Sawn on foil
პაკეტი / საქმე : Die

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ