Infineon Technologies - IRFR8314TRPBF

KEY Part #: K6419998

IRFR8314TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [150392ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.24594
  • 2,000 pcs$0.23608

Ნაწილი ნომერი:
IRFR8314TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFR8314TRPBF electronic components. IRFR8314TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR8314TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR8314TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFR8314TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 54nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4945pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-PAK (TO-252AA)
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ