Rohm Semiconductor - ES6U1T2R

KEY Part #: K6421521

ES6U1T2R ფასები (აშშ დოლარი) [701059ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05833
  • 8,000 pcs$0.05804

Ნაწილი ნომერი:
ES6U1T2R
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor ES6U1T2R electronic components. ES6U1T2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES6U1T2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES6U1T2R პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ES6U1T2R
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 290pF @ 6V
FET თვისება : Schottky Diode (Isolated)
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 700mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-WEMT
პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ