IXYS - IXFN64N50PD2

KEY Part #: K6402641

IXFN64N50PD2 ფასები (აშშ დოლარი) [3199ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.29070
  • 10 pcs$14.21960

Ნაწილი ნომერი:
IXFN64N50PD2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN64N50PD2 electronic components. IXFN64N50PD2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN64N50PD2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN64N50PD2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN64N50PD2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
სერიები : PolarHV™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 186nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 11000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 625W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.