IXYS - IXFM10N90

KEY Part #: K6400917

[3231ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IXFM10N90
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS IXFM10N90 electronic components. IXFM10N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFM10N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM10N90 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IXFM10N90
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : POWER MOSFET TO-3
    სერიები : HiPerFET™
    ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4200pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-204AA
    პაკეტი / საქმე : TO-204AA, TO-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ