Vishay Siliconix - SI1400DL-T1-E3

KEY Part #: K6408703

SI1400DL-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [536ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.06811

Ნაწილი ნომერი:
SI1400DL-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1400DL-T1-E3 electronic components. SI1400DL-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1400DL-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1400DL-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1400DL-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 568mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-70-6 (SOT-363)
პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ