Renesas Electronics America - RJK0856DPB-00#J5

KEY Part #: K6405574

RJK0856DPB-00#J5 ფასები (აშშ დოლარი) [1618ცალი საფონდო]

  • 2,500 pcs$0.49670

Ნაწილი ნომერი:
RJK0856DPB-00#J5
მწარმოებელი:
Renesas Electronics America
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Renesas Electronics America RJK0856DPB-00#J5 electronic components. RJK0856DPB-00#J5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0856DPB-00#J5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0856DPB-00#J5 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RJK0856DPB-00#J5
მწარმოებელი : Renesas Electronics America
აღწერა : MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3000pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 65W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : LFPAK
პაკეტი / საქმე : SC-100, SOT-669

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ