Infineon Technologies - IPB107N20N3GATMA1

KEY Part #: K6417062

IPB107N20N3GATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [24353ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.69238

Ნაწილი ნომერი:
IPB107N20N3GATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB107N20N3GATMA1 electronic components. IPB107N20N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB107N20N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB107N20N3GATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB107N20N3GATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 88A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7100pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK (TO-263AB)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.