Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8036-H(TE12L,QM

KEY Part #: K6407349

[8619ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    TPC8036-H(TE12L,QM
    მწარმოებელი:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8036-H(TE12L,QM electronic components. TPC8036-H(TE12L,QM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8036-H(TE12L,QM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC8036-H(TE12L,QM პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : TPC8036-H(TE12L,QM
    მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
    სერიები : U-MOSVI-H
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 49nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4600pF @ 10V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP (5.5x6.0)
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • PN3685

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH TO-92.

    • IRFN214BTA_FP001

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

    • 2SK3462(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

    • 2SK3342(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

    • 2SK2883(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.