Infineon Technologies - IPD65R250C6XTMA1

KEY Part #: K6403165

IPD65R250C6XTMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [2452ცალი საფონდო]

  • 2,500 pcs$0.51800

Ნაწილი ნომერი:
IPD65R250C6XTMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R250C6XTMA1 electronic components. IPD65R250C6XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R250C6XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R250C6XTMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPD65R250C6XTMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
სერიები : CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 400µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 950pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 208.3W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ