Vishay Siliconix - SIHU5N50D-GE3

KEY Part #: K6392982

SIHU5N50D-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [78588ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.49754
  • 3,000 pcs$0.18272

Ნაწილი ნომერი:
SIHU5N50D-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIHU5N50D-GE3 electronic components. SIHU5N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU5N50D-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU5N50D-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIHU5N50D-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 325pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-251
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • LND150N3-G-P013

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • LND150N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • FDD86110

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3.

  • RFD16N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.

  • FDD8445

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 70A DPAK.

  • FDD5N50FTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK.