Texas Instruments - CSD17573Q5B

KEY Part #: K6416926

CSD17573Q5B ფასები (აშშ დოლარი) [127481ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.29827
  • 2,500 pcs$0.29678

Ნაწილი ნომერი:
CSD17573Q5B
მწარმოებელი:
Texas Instruments
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Texas Instruments CSD17573Q5B electronic components. CSD17573Q5B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17573Q5B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17573Q5B პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : CSD17573Q5B
მწარმოებელი : Texas Instruments
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
სერიები : NexFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 64nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9000pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.2W (Ta), 195W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-VSON-CLIP (5x6)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.