Ნაწილი ნომერი :
APT28M120B2
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
560 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
300nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
9670pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1135W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
T-MAX™ [B2]
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3 Variant