Microsemi Corporation - APT28M120B2

KEY Part #: K6394087

APT28M120B2 ფასები (აშშ დოლარი) [4081ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.67516
  • 10 pcs$10.79952
  • 100 pcs$9.22342

Ნაწილი ნომერი:
APT28M120B2
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT28M120B2 electronic components. APT28M120B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT28M120B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT28M120B2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT28M120B2
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
სერიები : POWER MOS 8™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9670pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1135W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : T-MAX™ [B2]
პაკეტი / საქმე : TO-247-3 Variant

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.