Ნაწილი ნომერი :
SQM120N06-3M5L_GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
330nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
14700pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
375W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB