STMicroelectronics - STP8N120K5

KEY Part #: K6396640

STP8N120K5 ფასები (აშშ დოლარი) [12706ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.24355

Ნაწილი ნომერი:
STP8N120K5
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STP8N120K5 electronic components. STP8N120K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP8N120K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP8N120K5 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STP8N120K5
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
სერიები : MDmesh™ K5
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13.7nC @ 10V
Vgs (მაქს) : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 505pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 130W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.

  • SIHA20N50E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.

  • CSD19532Q5BT

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 100V 100A VSON.