Vishay Siliconix - SIS444DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420728

SIS444DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [240204ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.15398

Ნაწილი ნომერი:
SIS444DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIS444DN-T1-GE3 electronic components. SIS444DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS444DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS444DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIS444DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 102nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3065pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 52W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ