Ნაწილი ნომერი :
RP1A090ZPTR
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
59nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
7400pF @ 6V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
MPT6
პაკეტი / საქმე :
6-SMD, Flat Leads