STMicroelectronics - STU5N65M6

KEY Part #: K6420126

STU5N65M6 ფასები (აშშ დოლარი) [162374ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22893
  • 3,000 pcs$0.22779

Ნაწილი ნომერი:
STU5N65M6
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STU5N65M6 electronic components. STU5N65M6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STU5N65M6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STU5N65M6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STU5N65M6
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK
სერიები : MDmesh™ M6
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.75V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 5.1nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 170pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 45W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : I-PAK
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ