Panasonic Electronic Components - EXB-24AT3AR3X

KEY Part #: K7359533

EXB-24AT3AR3X ფასები (აშშ დოლარი) [1824451ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02480
  • 10,000 pcs$0.02468
  • 30,000 pcs$0.02314
  • 50,000 pcs$0.02051
  • 100,000 pcs$0.02005

Ნაწილი ნომერი:
EXB-24AT3AR3X
მწარმოებელი:
Panasonic Electronic Components
Დეტალური აღწერა:
RF ATTENUATOR 3DB 50OHM 0404.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: RF სხვადასხვა IC და მოდულები, RFID გადამცემები, წარწერები, RF მიქსერები, RF მიმღები, გადამცემი და გადამცემი დასრულებული ერთ, RF აქსესუარები, RF მიმართულებითი კუპერი, RFID შეფასებისა და განვითარების კომპლექტები, დაფებ and RF მოდულატორები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Panasonic Electronic Components EXB-24AT3AR3X electronic components. EXB-24AT3AR3X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EXB-24AT3AR3X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EXB-24AT3AR3X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EXB-24AT3AR3X
მწარმოებელი : Panasonic Electronic Components
აღწერა : RF ATTENUATOR 3DB 50OHM 0404
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დამბრუნების ღირებულება : 3dB
სიხშირის დიაპაზონი : 0Hz ~ 3GHz
სიმძლავრე (ვატი) : 40mW
წინაღობა : 50 Ohms
პაკეტი / საქმე : 0404 (1010 Metric), Concave

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.