Diodes Incorporated - DMN2036UCB4-7

KEY Part #: K6523108

DMN2036UCB4-7 ფასები (აშშ დოლარი) [408426ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09056

Ნაწილი ნომერი:
DMN2036UCB4-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2036UCB4-7 electronic components. DMN2036UCB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2036UCB4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2036UCB4-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN2036UCB4-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : -
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12.6nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : 1.45W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 4-XFBGA, WLBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : X2-WLB1616-4

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.