Vishay Siliconix - SI7964DP-T1-E3

KEY Part #: K6523544

[4671ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI7964DP-T1-E3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7964DP-T1-E3 electronic components. SI7964DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7964DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7964DP-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI7964DP-T1-E3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
    FET თვისება : Standard
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 65nC @ 10V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 1.4W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ