ON Semiconductor - FDY2000PZ

KEY Part #: K6523037

FDY2000PZ ფასები (აშშ დოლარი) [608110ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06113
  • 3,000 pcs$0.06082

Ნაწილი ნომერი:
FDY2000PZ
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDY2000PZ electronic components. FDY2000PZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDY2000PZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDY2000PZ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDY2000PZ
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 100pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 446mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-563F

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.