Vishay Siliconix - SI1023X-T1-E3

KEY Part #: K6523563

[4123ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI1023X-T1-E3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1023X-T1-E3 electronic components. SI1023X-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1023X-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1023X-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI1023X-T1-E3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 370mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 250mW
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-89-6

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ