Vishay Siliconix - SQS966ENW-T1_GE3

KEY Part #: K6525351

SQS966ENW-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [218486ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16929

Ნაწილი ნომერი:
SQS966ENW-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHAN 60V.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 electronic components. SQS966ENW-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQS966ENW-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS966ENW-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQS966ENW-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHAN 60V
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 572pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 27.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8W
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8W

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ