Vishay Siliconix - SI6562CDQ-T1-GE3

KEY Part #: K6525322

SI6562CDQ-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [193304ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.19134
  • 3,000 pcs$0.17968

Ნაწილი ნომერი:
SI6562CDQ-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3 electronic components. SI6562CDQ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6562CDQ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6562CDQ-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI6562CDQ-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 23nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 850pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 1.6W, 1.7W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-TSSOP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ