Vishay Siliconix - SIS903DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525335

SIS903DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [201147ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18388

Ნაწილი ნომერი:
SIS903DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - SCRs - მოდულები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 electronic components. SIS903DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS903DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS903DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIS903DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
სერიები : TrenchFET® Gen III
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 42nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2565pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • IRF7530TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8.

  • IRF7506TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8.

  • SH8K4TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8.

  • SH8M24TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8.