Ნაწილი ნომერი :
SSM6N35FE,LM
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
9.5pF @ 3V
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOT-563, SOT-666
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ES6 (1.6x1.6)