Ნაწილი ნომერი :
ZXMN6A11DN8TC
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
5.7nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
330pF @ 40V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOP