Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TC

KEY Part #: K6524557

[3792ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    ZXMN6A11DN8TC
    მწარმოებელი:
    Diodes Incorporated
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC electronic components. ZXMN6A11DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN6A11DN8TC პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : ZXMN6A11DN8TC
    მწარმოებელი : Diodes Incorporated
    აღწერა : MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 5.7nC @ 10V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 330pF @ 40V
    ძალა - მაქსიმუმი : 1.8W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ