Ნაწილი ნომერი :
SIA950DJ-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
190V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
90pF @ 100V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SC-70-6 Dual