Microsemi Corporation - JANTX2N7334

KEY Part #: K6523783

[4049ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTX2N7334
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTX2N7334 electronic components. JANTX2N7334 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX2N7334, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTX2N7334 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTX2N7334
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/597
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : 4 N-Channel
    FET თვისება : Standard
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 600mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 60nC @ 10V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 1.4W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : MO-036AB

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • FDG6318P

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

    • IRF7503TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8.

    • UPA1764G-E2-AZ

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

    • TMC1340-SO

      Trinamic Motion Control GmbH

      MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

    • SI4618DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.