თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. APTMC60TL11CT3AG

Microsemi Corporation - APTMC60TL11CT3AG

KEY Part #: K6523767

APTMC60TL11CT3AG ფასები (აშშ დოლარი) [4055ცალი საფონდო]

  • 100 pcs$97.63581
Ნაწილი ნომერი:
APTMC60TL11CT3AG
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTMC60TL11CT3AG electronic components. APTMC60TL11CT3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC60TL11CT3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TL11CT3AG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTMC60TL11CT3AG
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET თვისება : Silicon Carbide (SiC)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V (1.2kV)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 49nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 950pF @ 1000V
ძალა - მაქსიმუმი : 125W
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • PMGD175XN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

  • FDG6318P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

  • UPA1764G-E2-AZ

    Renesas Electronics America

    MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

  • TMC1340-SO

    Trinamic Motion Control GmbH

    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

  • SI4618DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

  • SP8M4FU6TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.

ცხელი ნაწილები