IXYS-RF - IXFX24N100F

KEY Part #: K6397711

IXFX24N100F ფასები (აშშ დოლარი) [3618ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.20941
  • 10 pcs$13.14289
  • 100 pcs$11.22469

Ნაწილი ნომერი:
IXFX24N100F
მწარმოებელი:
IXYS-RF
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS-RF IXFX24N100F electronic components. IXFX24N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX24N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX24N100F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFX24N100F
მწარმოებელი : IXYS-RF
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
სერიები : HiPerRF™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6600pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 560W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PLUS247™-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.