ON Semiconductor - FDMS10C4D2N

KEY Part #: K6395986

FDMS10C4D2N ფასები (აშშ დოლარი) [59144ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.66441
  • 3,000 pcs$0.66110

Ნაწილი ნომერი:
FDMS10C4D2N
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDMS10C4D2N electronic components. FDMS10C4D2N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS10C4D2N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS10C4D2N პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDMS10C4D2N
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4500pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PQFN (5x6)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ