Ნაწილი ნომერი :
ATP102-TL-H
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
40A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18.5 mOhm @ 20A, 10V
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
34nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1490pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
40W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ATPAK
პაკეტი / საქმე :
ATPAK (2 leads+tab)