IXYS - IXFQ12N80P

KEY Part #: K6393686

IXFQ12N80P ფასები (აშშ დოლარი) [26643ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.71005
  • 30 pcs$1.70154

Ნაწილი ნომერი:
IXFQ12N80P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFQ12N80P electronic components. IXFQ12N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ12N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ12N80P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFQ12N80P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
სერიები : HiPerFET™, PolarHT™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2800pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 360W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-3P
პაკეტი / საქმე : TO-3P-3, SC-65-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.