Vishay Siliconix - SIR608DP-T1-RE3

KEY Part #: K6397566

SIR608DP-T1-RE3 ფასები (აშშ დოლარი) [111328ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.33224

Ნაწილი ნომერი:
SIR608DP-T1-RE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHAN 45V POWERPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIR608DP-T1-RE3 electronic components. SIR608DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR608DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR608DP-T1-RE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIR608DP-T1-RE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHAN 45V POWERPAK SO-8
სერიები : TrenchFET® Gen IV
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 45V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 51A (Ta), 208A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 167nC @ 10V
Vgs (მაქს) : +20V, -16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 8900pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.