Infineon Technologies - BSB044N08NN3GXUMA1

KEY Part #: K6418464

BSB044N08NN3GXUMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [63934ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.61158

Ნაწილი ნომერი:
BSB044N08NN3GXUMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1 electronic components. BSB044N08NN3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB044N08NN3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB044N08NN3GXUMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSB044N08NN3GXUMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 97µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5700pF @ 40V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.2W (Ta), 78W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : MG-WDSON-2, CanPAK M™
პაკეტი / საქმე : 3-WDSON

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.