Ნაწილი ნომერი :
TSM70N380CH C5G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
700V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
18.8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
981pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-251 (IPAK)
პაკეტი / საქმე :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA