Diodes Incorporated - DMP1011LFV-13

KEY Part #: K6394124

DMP1011LFV-13 ფასები (აშშ დოლარი) [287376ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12871
  • 3,000 pcs$0.11437

Ნაწილი ნომერი:
DMP1011LFV-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMP1011LFV-13 electronic components. DMP1011LFV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP1011LFV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP1011LFV-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMP1011LFV-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9.5nC @ 6V
Vgs (მაქს) : -6V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 913pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.16W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI3333-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerVDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • SIE802DF-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK.